本應(yīng)用筆記介紹了 PolyZen 器件在 LED 應(yīng)用中提供 EOS 保護(hù)的功能。本文指出,PolyZen 器件有助于降低 EOS 能量水平、降低復(fù)雜性和成本、提供多功能可復(fù)位保護(hù)、提供節(jié)省空...
分類:安防監(jiān)控 時(shí)間:2023-10-09 閱讀:1515 關(guān)鍵詞:LED
Nexperia推出四款全新兼具高信號(hào)完整性的TrEOS ESD保護(hù)器件
具備行業(yè)基準(zhǔn)性能的器件,符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),可保護(hù)信息娛樂(lè)、多媒體和ADAS系統(tǒng)。 奈梅亨,2020年9月15日:半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn) Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保護(hù)器件,這些器件通過(guò)了AEC-Q10...
分類:通信與網(wǎng)絡(luò) 時(shí)間:2020-09-16 閱讀:1055 關(guān)鍵詞:Nexperia推出四款全新兼具高信號(hào)完整性的TrEOS ESD保護(hù)器件Nexperia, ESD
PolyZen系列產(chǎn)品在電路EOS防護(hù)中有哪些應(yīng)用
LED應(yīng)用過(guò)程中的EOS故障 在LED的應(yīng)用過(guò)程中,我們會(huì)經(jīng)常遇到一種能夠?qū)е翷ED器件失效的EOS故障。EOS(electrical overstress)指的是過(guò)度電性應(yīng)力,當(dāng)電子元器件被施加的電流或者電壓超過(guò)該元器件的設(shè)計(jì)規(guī)范要求時(shí),...
分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2019-01-11 閱讀:994 關(guān)鍵詞:PolyZen系列產(chǎn)品在電路EOS防護(hù)中有哪些應(yīng)用EOS
Molex公司發(fā)布了NeoScaleTM 高速平行板式系統(tǒng)
導(dǎo)讀:本文介紹了Molex公司發(fā)布了NeoScaleTM高速平行板式系統(tǒng),這款模塊化平行板式互連產(chǎn)品在28+Gbps數(shù)據(jù)速率下提供了非常干凈的信號(hào)完整性,而設(shè)計(jì)是用于印刷電路板(PCB)空間有限的高密度PCB平行板式應(yīng)用。工業(yè)應(yīng)...
分類:其它 時(shí)間:2014-05-15 閱讀:935 關(guān)鍵詞:Molex公司發(fā)布了NeoScaleTM 高速平行板式系統(tǒng)Molex公司 NeoScaleTM 高速平行板式系統(tǒng)
隨著LED技術(shù)的日趨成熟,LED照明的使用越來(lái)越廣泛,例如手機(jī)的LED閃光,LED家用燈具,汽車(chē)的LED前燈和尾燈等等。但是如何有效的延長(zhǎng)LED的使用壽命,也許你并不是特別清楚。我們今天的話題就圍繞針對(duì)過(guò)度電性應(yīng)力(EO...
分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2013-08-14 閱讀:3674 關(guān)鍵詞:LED不同的EOS防護(hù)方案LEDEOSEOS防護(hù)方案
保護(hù)LED免受EOS損傷的兩大防護(hù)方案對(duì)比
導(dǎo)讀:LED器件很容易受到EOS的損傷,這種損壞有時(shí)能夠直接擊壞器件造成失效。本文講到的兩種EOS防護(hù)方案,一是用TVS穩(wěn)壓管來(lái)進(jìn)行保護(hù),另一種則是采用PolyZen系列元器件,兩種方案孰優(yōu)孰劣?請(qǐng)看下文?! ‰S著LED ...
分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2013-08-12 閱讀:3577 關(guān)鍵詞:保護(hù)LED免受EOS損傷的兩大防護(hù)方案對(duì)比LEDEOS防護(hù)方案
LED應(yīng)用過(guò)程中的EOS故障 在LED的應(yīng)用過(guò)程中,我們會(huì)經(jīng)常遇到一種能夠?qū)е翷ED器件失效的EOS故障。EOS(electrical overstress)指的是過(guò)度電性應(yīng)力,當(dāng)電子元器件被施加...
分類:其它 時(shí)間:2013-05-03 閱讀:6406 關(guān)鍵詞:PolyZen在EOS防護(hù)中的應(yīng)用PolyZenEOS防護(hù)LED器件
放大器電氣過(guò)應(yīng)力EOS問(wèn)題分析
當(dāng)我們考慮出現(xiàn)EOS問(wèn)題的放大器時(shí),可能會(huì)想到靜電放電 (ESD) 。ESD使放大器引腳面臨短時(shí)、高壓、放電問(wèn)題。第二種(通常會(huì)被人們忽略)過(guò)應(yīng)力條件是 EOS 。EOS使放大器面臨相對(duì)于 ESD 較低的過(guò)壓和電流,但持續(xù)時(shí)間更...
分類:模擬技術(shù) 時(shí)間:2010-08-23 閱讀:3922 關(guān)鍵詞:放大器電氣過(guò)應(yīng)力EOS問(wèn)題分析電氣過(guò)應(yīng)力EOS
MSTP中的EOS數(shù)據(jù)接入芯片的設(shè)計(jì)
摘要:針對(duì)SHD多業(yè)務(wù)傳送平臺(tái)的需求,介紹了一種能夠用于SDH接入傳輸設(shè)備中以太網(wǎng)數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)接入的芯片設(shè)計(jì)方法。該芯片采用GFP、LCAS、流水處理等先進(jìn)技術(shù),靈活高效地利用網(wǎng)絡(luò)帶寬,支持QOS,提供了網(wǎng)管的監(jiān)控接口。...
分類:其它 時(shí)間:2005-11-11 閱讀:2373 關(guān)鍵詞:MSTP中的EOS數(shù)據(jù)接入芯片的設(shè)計(jì)ETHERNETFIFOGENERICPLATFORMSRAMSTM-1
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